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海力士已經開發出了容量2Gb的DDR4 DRAM內存顆粒
隨著東芝/晟碟(Toshiba/SanDisk)的四日市(Yokkaichi)合資廠受地震影響，3月份主流的MLC NAND Flash合約均價上漲約達5-15%，但3月下旬的部份TLC合約均價則出現約10%的跌幅，主要是因有些供貨商其2xnm TLC新產品采取了較優惠的定價策略，以吸引記憶卡及UFD客戶于1Q季底前增加其采購量。但2Q NAND Flash市場的供需狀況仍將會受到一些供需不確定因素的影響 就需求面而言：1.) 2Q的記憶卡及UFD通路市場仍將受傳統淡季效應的影響。2.) 考慮災后日本市場對NAND Flash終端產品的需求短期內將可能會下降，以及部份NAND Flash終端產品的出貨量將受限于零件短缺或業者遞延部份新產品的鋪貨時程等因素而減少，故也將可能會影響到2Q或3Q NAND Flash終端產品的銷售量。
4月份NAND Flash市場在上述這些供給及需求面的多空因素相互影響下，預期NAND Flash合約價格可望維持大致穩定，但隨著日本東北及關東(Kanto)地區的限電因素在2Q中逐漸獲得改善后，預期NAND Flash合約價格將可能會轉為反應2Q中的淡季效應而走軟。
三星電子搶先行動整整三個月之后，另一家半導體大廠海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4內存顆粒、內存條開發完畢。
海力士已經開發出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM內存顆粒，以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM內存條，支持錯誤校驗功能，均采用先進的30nm級別工藝制造，完全符合JEDEC組織制定的相關標準規范。
海力士DDR4 DRAM內存顆粒的運行速度高達2400MHz，比目前主流的DDR3-1333快了整整80％，也比三星DDR4快了266MHz，同時運行電壓僅有1.2V，64-bit I/O接口下數據傳輸帶寬高達19.2GB/s。
海力士計劃2012年下半年開始批量生產這種高性能DDR4內存，主要提供給微型服務器(micro server)市場，暫無消費級產品規劃。
市調機構iSuppli認為，DDR4 DRAM在整個內存市場上的份額2013年約為5％，2015年即可超過50％成為主流，同時DDR3 DRAM內存在2012年達到71％的份額高峰，2014年就會迅速滑落到49％。
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